Fab 62的具体制程尚未公布。英特尔已在相邻的Fab 52采用18A制程进行生产；外界推测新厂可能用于扩充18A产能，或导入18A-P、下一代14A等制程，但英特尔尚未确认任何一种方案，也未公布Fab 62的产能和客户安排。18A采用RibbonFET全环绕栅极晶体管与PowerVia背面供电技术，英特尔称其已于2025年进入高产量生产。
美国扩产计划也在其他地区推进。英特尔称，俄亥俄州新奥尔巴尼的Ohio One园区已为首座晶圆厂安装第一根大型结构桁架；加州圣克拉拉的新光罩制造设施则已举行奠基。光罩是芯片光刻制造中用于转印电路图形的关键部件，相关项目将补充英特尔在美国的制造与供应链布局。
另据CNBC报道，英特尔正与SK海力士洽谈，可能将俄亥俄州未完工厂区的一部分出租，用于在美国生产存储芯片。双方均未证实这项谈判，具体租赁范围和计划也尚未公布。